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兆易创新发布重磅芯片:算力、存储、多媒体三强-芯城品牌采购网

12月18日,兆易创新(股票代码:603986)正式推出GD32家族史上性能最强的GD32H78D/77D系列MCU,以“极致算力+超大存储+全能多媒体”的三重突破,重新定义国产高端通用微控制器的性能上限,为高端嵌入式系统提供全方位硬件支撑。作为GD32家族的巅峰之作,该系列基于高性能Arm®Cortex®-M7内核打造,GD32H78D系列主频高达750MHz,是目前所有GD32产品中主频最高的

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近期,存储器市场供需矛盾进一步加剧,推动智能手机、平板电脑和PC等3C产品价格集体上扬,成为产业链关注的焦点。小米、荣耀、联想、戴尔等知名品牌相继发出涨价信号,存储器短缺效应已全面波及终端市场。据CFM闪存市场观察,存储器原厂产能正优先满足AI服务器及数据中心需求,消费电子市场供应受到明显挤压。在此背景下,小米率先调整平板电脑售价,涨幅在100至200元之间。例如,小米平板8入门款价格从2,199

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存储巨头美光业绩“狂飙”,营收利润双双暴涨-芯城品牌采购网

美光公布2026财年第一季度(2025年9-11月)业绩,整体表现堪称惊艳。该季营收达136.4亿美元,环比增长21%、同比大增55%;Non-GAAP口径下,营业利润64.2亿美元,营业利润率从35%飙升至47%;净利润54.8亿美元,环比增长58%、同比暴涨169%。旗下所有业务部门均实现营收纪录与利润率双突破。核心业务涨价成为关键驱动力。DRAM业务营收108亿美元,环比、同比分别增长20%

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存储芯片年底走势分化:DDR4为何还在猛涨?-芯城品牌采购网

12月10日集邦科技(TrendForce)发布最新报告显示,临近年底,不同类型DRAM产品走势出现分歧:DDR5与DDR3在前期大幅上涨后迎来小幅回调,而DDR4尤其是16Gb产品涨势依旧强劲;与此同时,NANDFlash现货市场在供应端支撑下持续刷新历史高点,行业成本传导逻辑全面兑现。DRAM市场的分化走势尤为值得关注。DDR5与DDR3本周的温和回落,核心源于部分现货交易商的年底获利了结操作

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这家台湾存储巨头公司利润暴增1000%!-芯城品牌采购网

台湾存储巨头南亚科披露的最新业绩数据堪称惊艳:10月单月营收达79.08亿元新台币,同比暴涨262.37%;归属母公司业主净利20.39亿元新台币,年增幅更是飙升至1006.38%,实现千倍级增长。这波业绩爆发并非偶然,全球DRAM价格的强势反弹成为核心引擎。自8-9月起,DRAM价格开启急速拉升模式,直接带动南亚科第三季营运全面回暖:单季营收187.79亿元新台币,年增130.9%;归属母公司净

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突发!长鑫存储DDR4产能砍半-芯城品牌采购网

全球内存市场格局生变!12月4日,据台湾《数码时报》援引业内消息,长鑫存储正将DDR4DRAM产能直接腰斩,同时全面聚焦DDR5与LPDDR5高端内存标准。在全球内存供应短缺的当下,这一果断调整被解读为其向三星、SK海力士等国际巨头发起冲击的关键信号。产能调整已落地执行。此前长鑫存储计划将DDR4月产能维持在2万片晶圆至2026年底,最新规划显示该数字已降至约1万片。这一动作并非盲目收缩,而是精准

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美光宣布:将终止Crucial消费级存储业务-芯城品牌采购网

存储行业格局迎来重大变动。12月3日,全球第三大DRAM供应商美光科技(Micron)通过官网发布重磅公告:正式宣布退出拥有29年历史的Crucial(英睿达)消费类存储业务,涵盖全球零售商、电商及分销商渠道的相关产品销售。这一决定,被业内解读为美光押注AI数据中心市场的“战略取舍”。公告明确了过渡安排:美光将继续通过消费渠道供应Crucial品牌产品至2026年2月(本财年第二季度末)。在此期间

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江波龙大手笔定增37亿,猛攻AI存储赛道-芯城品牌采购网

在AI技术掀起全球存储需求变革的关键节点,中国存储行业传来重磅消息。12月2日,国内最大独立存储器企业江波龙正式发布定增预案,计划募集资金不超过37亿元,集中投向AI相关存储核心领域及补充流动资金,以精准把握AI时代存储产品升级的战略机遇。根据公告,此次定增方案需依次经过公司股东大会审议通过、深交所审核同意及证监会注册生效后,方可正式实施,各项流程将按规范有序推进。37亿元募资将进行精准分配,形成

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存储芯片巨头三星调整架构,HBM业务战略升级-芯城品牌采购网

11月27日,三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM(高带宽内存)特别开发团队正式解散,相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒BusinessKorea于11月28日披露,这一变动在三星高管通报会上正式官宣,标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。此次调整的核心脉络清晰可见:原HBM团队负责人孙永秀副社长,将出任DRAM部

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国之重器再突破!长江存储打造万亿存储产业集群-芯城品牌采购网

11月25日,湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林专程调研长江存储科技有限责任公司并主持座谈会,明确提出以该企业为核心,勇攀世界半导体存储科技高峰,打造世界级存算一体化产业基地,为国家高水平科技自立自强与新质生产力发展注入力量。省委副书记诸葛宇杰参加调研。作为我国存储芯片领域“领头雁”,估值1600亿元的全球独角兽企业长江存储,已构建从闪存制造到封装测试的完整生态。其2023年推出的232层“武当

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三星调整存储战略!加码DRAM暂缓HBM-芯城品牌采购网

存储市场格局生变。11月19日,据行业消息披露,三星电子正对存储业务进行重大战略转向:在DRAM价格两个月暴涨60%的红利期,全力加码通用型DRAM产能以抢占利润高地,同时暂缓高带宽存储器(HBM)的扩张计划。这一“弃长就短”的决策,直指“盈利最大化”的核心目标。当前DRAM市场的火爆行情,成为三星战略倾斜的直接诱因。DDR5、LPDDR5X、GDDR7等主流产品价格持续攀升,以三星32GBDDR

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1.2V接口革命!兆易创新GD25NX系列闪存储存-芯城品牌采购网

2025年11月18日,北京——国产半导体龙头兆易创新(GigaDevice,股票代码603986)正式推出第三代双电压高性能xSPINORFlash产品——GD25NX系列。该系列凭借1.8V核心+1.2VI/O的创新电压设计,可直接对接1.2V低功耗SoC,无需额外电平转换器,一举解决了传统产品“功耗高、BOM成本高”的痛点,为可穿戴设备、边缘AI、汽车电子等场景提供高效存储方案。作为兆易创新

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中芯国际:存储器涨价拖慢远期订单!-芯城品牌采购网

半导体行业再现“矛盾”图景。11月17日,中芯国际披露的四季度营收指引引发市场关注——环比持平至仅增长2%,远低于行业预期。但矛盾的是,公司三季度产能利用率已飙升至95.8%,产线处于供不应求状态。管理层明确指出,存储器供应紧缺与价格暴涨,正是拖累客户远期下单意愿的核心原因。这份“保守指引”背后,是手机产业链的集体焦虑。中芯国际在投资者关系活动中解释,当前手机市场存储器供需失衡问题突出,不仅供应紧

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中国深圳华强北电子市场近日掀起罕见的价格飙涨潮,固态硬盘(SSD)与DDR4内存等产品在短短三个月内普遍上涨近一倍,涨幅甚至超过水贝黄金市场,被部分消费者与商家戏称为“年度最强理财产品”。华强北周末市场人潮涌动,热度堪比黄金卖场。多位商家表示,近期几乎所有内存产品都在持续上涨,“一天一价、有价无货”成为常态。以Sandisk1TBSSD为例,三个月前售价约300元(人民币,下同),如今已涨至588

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晶存旗下妙存科技发布重磅新品QLCNANDUFS2.2存储芯片-芯城品牌采购网

QLCNANDUFS存储器正成为行业焦点,相比传统TLC架构,它兼具更高存储密度与更高性价比,但对存储控制器和固件的要求也更严苛。依托主控芯片技术的长期积累与研发投入,晶存旗下妙存科技推出新品——QLCNANDUFS2.2存储器。值得一提的是,妙存科技已于去年底率先发布UFS控制器及模组产品,此次新品旨在为终端市场提供“性能+高性价比”双优的存储方案。妙存QLCNANDUFS2.2:四大核心优势1

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人工智能(AI)需求爆发,带动存储器芯片市场「超级周期」来袭,掀起全面缺货和涨价潮。目前部分存储器原厂报价效期短,出现「一天一价」现象,部分DRAM和Flash产线更暂停报价。分析师预计,第四季DRAM的整体价格(加计高频宽存储器HBM)将季增13%~18%。  财联社报导,存储器芯片市场2025年上半年涨势并未在第四季趋缓,反而出现加剧的迹象。以HBM为代表的AI需求爆发,正彻底打破存储器行业的

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存储芯片周期性显著强于其他半导体细分领域,近13年呈现3-4年一轮的周期规律,当前正处于第四轮周期。  回顾前三轮:2012-2015年由智能机换机潮驱动,后因扩产供过于求下行;2016-2019年受益3DNAND产能转移、DDR4迭代及手机游戏需求,DRAM等产品价格涨幅超100%,后续受PC/服务器需求疲软调整;2020-2023年疫情催生远程办公与数据中心需求,存储先涨后因需求疲软、产能过剩

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国产存储重大突破!长鑫存储发布LPDDR5X-芯城品牌采购网

在近期举行的行业会议上,长鑫存储副总裁李红文透露,公司已正式推出LPDDR5X系列内存产品,同时一款厚度仅0.58mm的LPDDR5X正处于研发中,若成功量产将成为业内最薄的同类产品。此次发布的LPDDR5X系列覆盖多元需求,提供12GB、16GB、24GB、32GB等多种容量封装方案,速率涵盖8533Mbps、9600Mbps至10677Mbps多个档位。作为当前旗舰级移动设备的核心内存,LPD

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CF存储卡分类从封装方式上来看,CF存储卡可分为I型和II型,从外观上看,CFTypeI与TypeII差不多,两者均基于普通的50针接口设计,只不过在厚度上有所区别,TypeII型CF卡大约是TypeI的两倍厚。只支持CFTYPEI的插槽无法使用CFTYPEII型卡,但是使用CFTYPEII的插槽可以兼容CFTYPEI和CFTYPEII。CF存储卡使用我们在使用CF卡的时候,会因为对CF的许多技术

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DDR存储器工作原理SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。DDR存储器内存频率DDR内存频率是DDR内存频率是指内存模块从内存控制器接收和发送数据的速率,常见的DDR内存频率

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单片机存储器数据存储器其最大容量可扩展到64k,用于存储实时输入的数据。8051内部有256个单元的内部数据存储器,其中00H~7FH为内部随机存储器RAM,80H~FFH为专用寄存器区。实际使用时应首先充分利用内部存储器,从使用角度讲,搞清内部数据存储器的结构和地址分配是十分重要的。因为将来在学习指令系统和程序设计时会经常用到它们。8051内部数据存储器地址由00H至FFH共有256个字节的地址

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全息光存储简介全息光存储实际上还是一种光盘存储技术,采用复用技术,可大幅度地提高存储容量和系统性能。在各种未来高密度光存储技术中,全息光存储以其所具有的高存储容量、高存储密度、高信息存储冗余度和超快存取速度等优点一直为人们所重视。全息光存储发展前景与当前的硬盘、光盘存储以及下一代的高密度光存储技术相比,全息光存储的巨大竞争力体现在它所具有的超大存储容量、超高存储密度和越快的存取速度等方面。全息光存

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中央处理器存储器-芯城品牌采购网

中央处理器存储器简介中央处理器(CPU,CentralProcessingUnit)是一块超大规模的集成电路,是一台计算机的运算核心(Core)和控制核心(ControlUnit)。它的功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。CPU从逻辑上可以划分成3个模块,分别是控制单元、运算单元和存储单元,这三部分由CPU内部总线连接起来。中央处理器存储器又叫CPU存储器,CPU存储器是微处理器中

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一文了解新型存储技术-芯城品牌采购网

随着5G、人工智能(AI)、智能汽车等新兴应用的快速更迭,市场对数据存储在速度、功耗、容量、可靠性等层面提出了更高要求,存储器技术也在不断地面临着新的挑战。在当前主流的存储器技术中,DRAM虽然速度快,但功耗大、容量低、成本高,且断电无法保存数据,使用场景受限;NANDFlash读写速度低,存储密度明显受限于工艺制程。为了突破DRAM、NANDFlash等传统存储器的局限,存储器技术壁垒不断被突破

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SK海力士将在CES2023以高效率、高性能存储器吸引全球科技公司-芯城品牌采购网

·以“绿色数字解决方案”为主题,介绍主力/新内存阵容·展示超高性能企业SSD,强化服务器用存储器市场领先企业地位·“提出解决客户痛点的方案”2022年12月27日,SK海力士今日表示,公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会——“CES2023”,展示主力存储器产品和新的产品阵容。SK海力士强调:“在此次CES上,公司同步SK集团的‘无碳未来’方向,决定将大幅减

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据“中国建筑”消息,近日,一批重点项目封顶。其中,涉及存储领域的项目包括湖南长沙同有科技存储系统及SSD研发智能制造基地项目。该项目是国家网络安全产业园区(长沙)重点项目,由中建五局承建,位于湖南省长沙市高新区,总建筑面积约8.5万平方米,建设内容包含高层生产厂房、员工宿舍楼、地下车库及其他附属设施等。项目采用百米高层大跨度(25.2米)盒式结构,建成后将成为国内一流的自主可控存储系统及闪存SSD

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据证监会披露,12月14日,华泰联合证券关于杭州华澜微电子股份有限公司(以下简称“华澜微”)首次公开发行股票并上市辅导情况报告。公开资料显示,华澜微成立于2011年,注册资本为15,000万元,该公司立足于自主知识产权的集成电路芯片技术,聚焦计算机总线接口、数据存储和数据安全核心技术,提供安全的存储控制芯片、存储模组、存储系统、行业大数据解决方案。目前,华澜微积累和掌握了PCIe、SAS、SATA

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据凤凰网江苏消息,1月3日,苏州工业园区2023年一季度重大项目集中开工仪式举行。集中开工的49个产业项目包括:SEW-电机智能制造项目、三星半导体存储芯片项目、科阳半导体先进封装项目、联东U谷项目、光格总部大楼项目、天臣国际医疗总部基地项目、赛芯科技总部项目、源卓光电总部项目等。据悉,今年一季度,苏州工业园区开工项目89个,总投资557亿元,年度计划投资201亿元,涵盖新一代信息技术、高端装备制

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万润科技拟3150万元参设合资公司,布局中高端存储半导体领域-芯城品牌采购网

12月15日,万润科技发布公告称,结合自身经营发展需要,公司与武汉润福、武汉润禄、武汉润金、武汉润鸿、武汉润赢、武汉润意共同投资设立湖北长江万润半导体技术有限公司(简称“万润半导体”)。根据公告,万润半导体的注册资本为3500万元,其中万润科技以自有资金出资3150万元持有万润半导体90%的股权;武汉润福以自有资金出资63万元持有万润半导体1.8%的股权;武汉润禄以自有资金出资63万元持有万润半导

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国产存储厂商的进阶之路!-芯城品牌采购网

世界半导体贸易统计组织(WSTS)统计的数据显示,2021年全球半导体存储器市场规模约为1538亿美元。目前,存储市场长期被国外巨头垄断,三星、美光、SK海力士三大存储厂商占据全球近80%的市场份额。而中国尽管作为全球市场规模最大的集成电路市场,但存储器产品大部分却长期依赖进口。近年来,在国产化浪潮趋势推动下,一批国内存储厂商开启了资本市场之路。4家厂商IPO进展顺利公开资料显示,2021年以来,

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存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,也是物联网、云计算、自动驾驶等行业不可或缺的关键元件,亦被广泛应用于消费电子、工控应用、数据中心、智能汽车等各个领域。而封装测试是半导体产业链中必不可少的环节。近年来,我国在封测领域中取得成绩也是有目共睹。数据显示,在全球前十大封测厂商中,中国厂商占据三席之地,其中长电科技排名全球第三、通富微电和华天科技则分别位列第六和第七。随着存储市场需求的扩大,存储芯片封

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据科创板日报报道,闪存控制芯片及解决方案提供商深圳宏芯宇电子股份有限公司(以下简称“宏芯宇电子“)已完成A+轮数亿元融资,该轮融资由昆桥资本领投,中新融创、国元创新投资跟投。所筹资金将重点用于新型存储产品的持续研发。今年年初,宏芯宇电子还完成了1.5亿元战略轮融资,所筹资金将重点用于存算一体架构的研发、加密与错误更正/深度学习的IP设计与研发、以及国产闪存生态系统与存储相关产品的拓展等。7月中旬,

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存储器的发展取决于应用场景的变化,当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求,新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,ReRAM或RRAM)逐渐受到市场重视。近日,英飞凌官方消息称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米

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存储器的发展取决于应用场景的变化,当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求,新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,ReRAM或RRAM)逐渐受到市场重视。近日,英飞凌官方消息称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米

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工业互联网大数据中心:浪潮分布式存储-芯城品牌采购网

随着人工智能、大数据、物联网、云计算等新技术的发展和广泛应用,全球掀起了新一轮科技革命。为了促进经济建设,各国纷纷加大对工业互联网的投入,希望通过信息技术与制造业的深度融合,推动制造业向网络化、数字化、智能化、集约化方向发展。工业互联网是第四次工业革命的重要基石。通过产业互联网,可以构建覆盖全产业链、全价值链的新型制造和服务体系。结合我国制造业基础和产业结构,加快工业互联网建设,有利于促进我国工业

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近日,慧智微、佰维存储、芯天下、南芯半导体、新相微、米飞泰克等多家半导体公司公布了IPO最新进展。慧智微:科创板IPO成功过会11月22日,据科创板上市委2022年第94次审议会议结果显示,广州慧智微电子股份有限公司(简称:慧智微)科创板IPO成功过会。据了解,慧智微是一家为智能手机、物联网等领域提供射频前端的芯片设计公司,主营业务为射频前端芯片及模组的研发、设计和销售。公司提出可重构射频前端平台

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11月22日,聚辰半导体宣布,近日,公司自主研发的NORFlash存储芯片产品已通过第三方权威测试认证机构的AEC-Q100Grade1车规级验证,并陆续在车载领域应用。聚辰半导体的NORFlash512Kb/1Mb/2Mb/4Mb/8Mb/16Mb/32Mb容量产品全面按照车规标准设计,首批512Kb/1Mb/2Mb/4Mb产品此次获得了第三方权威机构颁发的AEC-Q100Grade1证书。聚辰

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存储芯片迈入下行周期,大厂的“保守”与“激进”-芯城品牌采购网

进入第四季度,由于消费电子市场需求持续疲软,存储芯片供应链库存仍旧高企,价格跌幅不断扩大。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示,今年第四季度DRAM价格跌幅将扩大至13~18%,NANDFlash在第四季度同样维持下跌趋势,价格跌幅则将扩大至15~20%。存储芯片市场迎来下行周期,产业变得愈发保守起来,比如缩减产能、灵活调整资本支出。美光科技预计2023财年资本支出为80亿美元,同

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近期,三星电子、SK海力士、美光、西部数据等存储大厂最新财报释放出存储芯片在秋冬季节的“寒意”。由于消费电子市场持续萎靡,以存储芯片为代表的半导体需求不断下滑,多家大厂在财报中发出预警并做出减产、缩减资本支出的应对策略。与此同时,“寒潮”之下,服务器、汽车两大应用需求仍旧坚挺,有望推动存储芯片在波动中成长。存储大厂应对“寒潮”:减产、缩减资本支出由于市场需求放缓,供需失衡之下,库存持续上升,美光率

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近日,韩国媒体报道称,三星电子计划考虑推出新的商业模式,高端存储芯片租赁服务,寻求在价格转为波动时也能确保稳定销售及收益流。报道指出,消息人士称,三星电子近期将“存储即服务”(memoryasaservice,MaaS)敲定为新业务,并正在制定实施计划。三星计划将用于高性能计算的存储半导体借给谷歌等云服务公司,并收取租赁费用。三星电子希望新业务能占其动态随机存取存储器(DRAM)整体销售收入的至少

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美光科技将在日本广岛生产1-beta存储芯片-芯城品牌采购网

美国芯片制造商美光科技(MicronTechnology)首席商务官苏密特-萨达纳告诉日经新闻,该公司将于今年年底前在它的广岛工厂开始大规模生产先进的DRAM内存芯片。美光公司已经宣布计划开始在台湾省使用其所谓的"1-beta"技术生产动态随机存取存储器。萨达纳在接受采访时说,该公司正在与日本政府和设备制造商等商业伙伴进行协调,以便在日本也开始生产。他没有透露广岛工厂的投资规模,但他说制造这种芯片

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朗科科技:拟2750万元与正源芯合作建设存储芯片封装测试工厂-芯城品牌采购网

12月2日,深圳市朗科科技股份有限公司(以下简称“朗科科技”)发布公告称,公司拟与正源芯半导体(深圳)有限公司(以下简称“正源芯”)设立合资公司,合作建设存储芯片封装测试工厂,有利于公司加深产业链上游扩张与合作,符合公司目前的战略规划和经营发展的需要。公告显示,合资公司注册资本拟定为人民币5000万元,其中朗科科技认缴出资2750万元,认缴出资比例为55%;正源芯认缴出资2250万元,认缴出资比例

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